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技術原理
使用共軛拉曼顯微鏡分析複合半導體
技術原理
2025.03.12
共軛拉曼顯微鏡與光致發光 (PL) 顯微鏡是高解析度、非侵入性的分析工具,可精確測量複合半導體的 化學成分、應力分佈、晶體結構與熱效應,適用於品質控制與材料研究。
應用領域包括:
✅
AlGaN/GaN 晶圓品質評估
:量測應力變化、鋁含量與均勻性,並
利用 LiveTrack™ 追蹤晶圓彎曲度。
✅
GaN 微結構 3D 影像與應力分析
:透過拉曼光譜檢測穿透位錯密度,揭示結構應力分佈,並與 SEM 影像對比驗證。
✅
HEMT 裝置的熱成像
:透過拉曼光譜測量裝置運行溫度,解析 SiC 與藍寶石基板的散熱特性,提高功率密度與散熱效率。
👍研究顯示,拉曼顯微鏡可精準分析複合半導體的結構、應力與熱管理,為提升材料品質與裝置效能提供有力工具。
📖 深入了解晶體品質、缺陷檢測與熱管理技術 → 請點擊附檔,閱讀完整內容!
檔案下載:
使用共軛拉曼顯微鏡分析複合半導體.pdf
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