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使用共軛拉曼顯微鏡分析複合半導體

技術原理 2025.03.12
使用共軛拉曼顯微鏡分析複合半導體

共軛拉曼顯微鏡與光致發光 (PL) 顯微鏡是高解析度、非侵入性的分析工具,可精確測量複合半導體的 化學成分、應力分佈、晶體結構與熱效應,適用於品質控制與材料研究。


應用領域包括:

AlGaN/GaN 晶圓品質評估:量測應力變化、鋁含量與均勻性,並利用 LiveTrack™ 追蹤晶圓彎曲度。

GaN 微結構 3D 影像與應力分析:透過拉曼光譜檢測穿透位錯密度,揭示結構應力分佈,並與 SEM 影像對比驗證。

HEMT 裝置的熱成像:透過拉曼光譜測量裝置運行溫度,解析 SiC 與藍寶石基板的散熱特性,提高功率密度與散熱效率。


👍研究顯示,拉曼顯微鏡可精準分析複合半導體的結構、應力與熱管理,為提升材料品質與裝置效能提供有力工具。


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